報告題目：III族氮化物深紫外激光和B-III-N新型材料
報告時間：2017年11月1日9:30
報告地點：西教二-407
報告人：李曉航（阿卜杜拉國王科技大學）
報告簡介：
III族氮化物寬禁帶半導體擁有優越的光電屬性。在過去的幾十年里，III族氮化物光電子學如藍光LED的發展已經給很多產業帶來革命性的變化和升級，并被2014年諾貝爾物理獎嘉獎。盡管如此，III族氮化物光電子學依然在紫外波段擁有極大的研究潛力和應用前景。比如說，紫外LED預計會極大的改變整個消毒殺菌產業。紫外激光預計會在通信和生化探測領域帶來革命性的影響。此報告將討論深紫外半導體激光的發展和應用。另外，此報告也將介紹B-III-N等新型材料的最新研究進展和應用。
報告人簡介：
李曉航教授是KAUST先進半導體實驗室的PI兼博士生導師。他在美國佐治亞理工學院獲得電子工程博士學位。他多次承擔美國能源部、美國國防高級研究計劃局、美國自然科學基金、中國自然科學基金和海灣阿拉伯國家合作委員會等研究項目。
李教授是半導體深紫外激光研究的先驅者之一：他在全球首次實現在藍寶石上波長短于260納米激光和低閾值深紫外激光，首次實現在同一襯底上TE和TM激光，和首次實現半導體深紫外表面受激輻射。另外，他在用低溫低成本實現高質量AlN藍寶石基板外延生長上做出了突出的貢獻。他也在B-III-N等新型第三代半導體研究做出了世界領先和開創性的成果。他的科研成果多次被國際知名第三代半導體媒體在顯著位置報道。
李教授在第三代半導體高水平雜志和會議上發表了120余篇論文，被引用1200余次（h指數16），在國際會議大學研究所和公司做受邀報告30余次。他曾受邀纂寫Compound Semiconductor雜志的社論，也參與過Elsevier和Wiley等知名出版社旗下Semiconductor and Semimetals和MOCVD有關書籍的編寫。他擁有十余項批準和在申的國際專利。他是Nature Photonics和Applied Physics Letter等雜志的審稿人。
李教授獲得過博士生年度最高獎（全球每年一名）。另外他也獲得過博士生年度最高獎（全球每年十名）和佐治亞理工學院研究生最高獎（每年一名）。
