報告題目：化學氣相沉積技術發展單晶石墨烯
報告地點：河北工業大學東院能源裝備材料技術研究院二樓報告廳（201）
報告時間：2016年7月12日（周二）上午10:00~11:30
報告人： 于慶凱教授
報告摘要：
由于石墨烯單晶薄膜是電子器件等應用領域的理想材料，因此晶圓級單層石墨烯單晶的制備一直以來是研究熱點。化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition）已經被證明了是一種低成本制備高質量石墨烯薄膜的技術。然而，現有的CVD技術只能制備出晶粒尺寸幾百微米的多晶石墨烯薄膜。在本次報告中，于教授將講述他在生長晶圓級石墨烯單晶領域所做的貢獻，將證明通過在銅基體表面控制形核制備單晶石墨烯陣列的技術，同時開創了一種通過控制單核演變快速生長為大尺寸單層石墨烯單晶的新方法。該方法通過在優化成分的Cu–Ni合金表面局部控制碳前驅體，可在2.5小時內生長出尺寸達到1.5英寸的單層石墨烯單晶。局部供給可促使在整個基體表面形成單核，同時優化的合金也促進了等溫析出機制，這大大加快了石墨烯單晶的生長速率。該技術為制備晶圓級單晶二維材料提供了新思路，具有重要的理論和應用意義。
報告人簡介：
于慶凱教授現就職于美國德州州立大學工程系，分別在西安交通大學，中國原子能科學研究院，美國密西根大學，美國休斯敦大學獲得學士（1996），碩士（1999/2001），博士學位（2006）。多年來從事材料的生長、表征和器件研究，為石墨烯生長領域的開拓者，最早提出并實踐了在銅表面用化學氣相沉積的方法生長石墨烯，在鎳箔上生長石墨烯的工作也被廣泛引用。先后在Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nano Letters, Advanced Materials, ACS Nano, Applied Physics Letters等著名期刊發表學術文章50余篇，是20多個學術雜志的審稿人，擁有兩項美國專利，并主持多項美國國家科學基金、能源部、國防部及工業界項目。
