講座預告：國防科技大學 吳建飛博士學術(shù)報告
時間：2015-05-08
來源：信息工程學院
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講座內(nèi)容： LDO模擬集成電路電磁兼容敏感度機理研究
報告人：國防科技大學電子科學與工程學院 吳建飛 博士
報告地點：西教二--407
報告時間：5月15日11:00
摘要：
低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）是目前應用最廣泛的電源類芯片。隨著日常電磁環(huán)境的惡化，以及在航空航天、汽車等特殊領域的剛性需求，LDO電磁敏感度成為學術(shù)界和企業(yè)界的研究熱點。本研究根據(jù)LDO在電磁干擾（EMI）作用下的失效模式，分析LDO失效對電路系統(tǒng)預期造成的影響。著重于查明EMI作用下的失效機理，通過敏感度建模和仿真，對失效機理進行了分析驗證。
基于一款飛思卡爾實驗芯片和工業(yè)級LDO穩(wěn)壓器芯片，分析了關鍵子電路和寄生元件對其敏感度影響，分別采用電路級和行為級方法建模，仿真結(jié)果實現(xiàn)了與測試結(jié)果在整個頻域的匹配。創(chuàng)新地將LDO的敏感度與可靠性研究結(jié)合，采用電應力加速老化方法，老化后LDO穩(wěn)壓器對電源線上的EMI擾動更加敏感。建立穩(wěn)壓器的敏感度和可靠性失效模型，深入剖析老化時單元電路例如CMOS晶體管閾值電壓、遷移率等參數(shù)偏移影響，實現(xiàn)了穩(wěn)壓器老化過程中的敏感度差異性仿真，可用于LDO生命周期內(nèi)的敏感度水平預測。
個人簡介：
現(xiàn)工作于國防科技大學電子科學與工程學院電子科學與技術(shù)系。2006年畢業(yè)于國防科技大學電子科學與工程學院電子工程專業(yè)。2006年至2008年間就讀于國防科技大學電子科學與工程學院，獲電路與系統(tǒng)專業(yè)碩士研究生。2009年就讀于國防科技大學信息與通信工程專業(yè)博士研究生，2010-2012受國家留學基金委公派，在法國國家科學應用學院聯(lián)合培養(yǎng)25個月，于2013年6月獲得博士學位。研究方向為模擬集成電路電磁兼容建模仿真與測試驗證。近4年作為項目骨干，參與了6項歐盟、法國、國家和軍隊科研項目，以第一作者發(fā)表SCI和EI學術(shù)論文10余篇。
